Augstas frekvences tiristori
Augstas frekvences tiristori
Apraksts:
1. EsGT, VGTun esHir testa vērtības pie 25℃, uja nav norādīts citādi, visi pārējie parametri ir testa vērtības zem Tjm;
2.I2t=I2MFV×tw/2, tw = sinusoidālā pusviļņa strāvas bāzes platums.Pie 50 Hz I2t=0,005I2MFV(A2S);
3. Pie 60 Hz: IMFV(8,3 ms) = IMFV(10 ms) × 1,066,Tj=Tj;I2t(8.3ms)=I2t(10ms) × 0,943,Tj=Tjm.
Parametrs:
| VEIDS | IT(AV) A | TC ℃ | VDRM/VRRM V | ITSM @TVJIM&10 ms A | I2t A2s | VTM @IT&TJ= 25℃ V/A | tq μs | Tjm ℃ | Rjc ℃/W | Rcs ℃/W | F KN | m Kg | KODS | |
| Spriegums līdz 1200V | ||||||||||||||
| KA200-** | 200 | 55 | 800–1200 | 2800 | 3,9 x 104 | 3.20 | 640 | 15 | 125 | 0,060 | 0,010 | 10 | 0.08 | T2A |
| KA500-** | 500 | 55 | 800–1200 | 7500 | 2,8 x 105 | 3.20 | 1570. gads | 15 | 125 | 0,039 | 0,008 | 15 | 0.26 | T5C |
| KA1000-** | 1000 | 55 | 800–1200 | 15 000 | 1,1 x 106 | 3.20 | 3000 | 15 | 125 | 0,022 | 0,005 | 25 | 0.46 | T8C |
Uzrakstiet savu ziņu šeit un nosūtiet to mums