Press-Pack IGBT
Preses pakotne IGBT (IEGT)
| VEIDS | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700. gads | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000. gads | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350. gads | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000. gads | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180. gads | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Piezīme:D- ar djoda daļa, A-bez diodes daļas
Tradicionāli lodēšanas kontaktu IGBT moduļi tika izmantoti elastīgās līdzstrāvas pārvades sistēmas sadales iekārtās.Moduļa pakete ir vienas puses siltuma izkliedēšana.Ierīces jaudas jauda ir ierobežota un nav piemērota savienošanai virknē, slikts kalpošanas laiks sāls gaisā, slikta vibrācijas prettrieciena vai termiskais nogurums.
Jaunā tipa presēšanas kontakta lieljaudas presēšanas pakotne IGBT ierīce ne tikai pilnībā atrisina problēmas ar vakanci lodēšanas procesā, lodēšanas materiāla termisko nogurumu un zemu vienpusējas siltuma izkliedes efektivitāti, bet arī novērš termisko pretestību starp dažādiem komponentiem, samazināt izmēru un svaru.Un ievērojami uzlabojiet IGBT ierīces darba efektivitāti un uzticamību.Tas ir diezgan piemērots, lai apmierinātu elastīgās līdzstrāvas pārvades sistēmas lieljaudas, augstsprieguma un augstas uzticamības prasības.
Lodēšanas kontakta veids ir obligāti jāaizstāj ar presējamo IGBT.
Kopš 2010. gada Runau Electronics tika izstrādāts, lai izstrādātu jauna tipa prespaku IGBT ierīci un sekmīgi ražotu 2013. gadā. Darbība tika sertificēta ar nacionālo kvalifikāciju un tika pabeigts jaunākais sasniegums.
Tagad mēs varam ražot un nodrošināt sērijveida prespaku IGBT IC diapazonā no 600A līdz 3000A un VCES diapazonā no 1700V līdz 6500V.Ļoti sagaidāma lieliska Ķīnā ražota prespakojuma IGBT perspektīva izmantošanai Ķīnas elastīgajā līdzstrāvas pārvades sistēmā, un tā kļūs par vēl vienu Ķīnas spēka elektronikas nozares pasaules klases pagrieziena punktu pēc ātrgaitas elektriskā vilciena.
Īss tipiskā režīma ievads:
1. Režīms: Preses pakotne IGBT CSG07E1700
●Elektriskās īpašības pēc iepakošanas un presēšanas
● Reverssparalēlisavienotsātras atjaunošanas diodesecināja
● Parametrs:
Nominālā vērtība (25℃)
a.Kolektora emitētāja spriegums: VGES=1700（V）
b.Vārtu izstarotāja spriegums: VCES=±20（V）
c.Kolektora strāva: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Kolektora jaudas izkliede: PC = 4440 (W)
e.Darba savienojuma temperatūra: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Uzglabāšanas temperatūra: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Piezīme: ierīce tiks bojāta, ja tā pārsniedz nominālo vērtību
ElektriskieCīpašības, TC＝125℃，Rth (termiskā pretestība nokrustojums uzlietu)nav iekļauts
a.Vārtu noplūdes strāva: IGES=±5（μA）
b.Kolektora emitētāja bloķējošā strāva ICES=250（mA）
c.Kolektora emitētāja piesātinājuma spriegums: VCE(sat)=6(V)
d.Vārtu izstarotāja sliekšņa spriegums: VGE(th)=10(V)
e.Ieslēgšanas laiks: tonna = 2,5 μs
f.Izslēgšanas laiks: Toff=3μs
2. Režīms: Preses iepakojums IGBT CSG10F2500
●Elektriskās īpašības pēc iepakošanas un presēšanas
● Reverssparalēlisavienotsātras atjaunošanas diodesecināja
● Parametrs:
Nominālā vērtība (25℃)
a.Kolektora emitētāja spriegums: VGES=2500（V）
b.Vārtu izstarotāja spriegums: VCES=±20（V）
c.Kolektora strāva: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Kolektora jaudas izkliede: PC = 4800 (W)
e.Darba savienojuma temperatūra: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Uzglabāšanas temperatūra: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Piezīme: ierīce tiks bojāta, ja tā pārsniedz nominālo vērtību
ElektriskieCīpašības, TC＝125℃，Rth (termiskā pretestība nokrustojums uzlietu)nav iekļauts
a.Vārtu noplūdes strāva: IGES=±15（μA）
b.Kolektora emitētāja bloķējošā strāva ICES=25 (mA)
c.Kolektora emitētāja piesātinājuma spriegums: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Vārtu izstarotāja sliekšņa spriegums: VGE(th)=6,3(V)
e.Ieslēgšanas laiks: tonna = 3,2 μs
f.Izslēgšanās laiks: Toff = 9,8 μs
g.Diodes priekšējais spriegums: VF=3,2 V
h.Diodes reversās atkopšanas laiks: Trr=1,0 μs
3. Režīms: Preses iepakojums IGBT CSG10F4500
●Elektriskās īpašības pēc iepakošanas un presēšanas
● Reverssparalēlisavienotsātras atjaunošanas diodesecināja
● Parametrs:
Nominālā vērtība (25℃)
a.Kolektora emitētāja spriegums: VGES = 4500 (V)
b.Vārtu izstarotāja spriegums: VCES=±20（V）
c.Kolektora strāva: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Kolektora jaudas izkliede: PC = 7700 (W)
e.Darba savienojuma temperatūra: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Uzglabāšanas temperatūra: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Piezīme: ierīce tiks bojāta, ja tā pārsniedz nominālo vērtību
ElektriskieCīpašības, TC＝125℃，Rth (termiskā pretestība nokrustojums uzlietu)nav iekļauts
a.Vārtu noplūdes strāva: IGES=±15（μA）
b.Kolektora emitētāja bloķējošā strāva ICES=50（mA）
c.Kolektora emitētāja piesātinājuma spriegums: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Vārtu izstarotāja sliekšņa spriegums: VGE(th)=5,2 (V)
e.Ieslēgšanas laiks: tonna = 5,5 μs
f.Izslēgšanās laiks: Toff = 5,5 μs
g.Diodes priekšējais spriegums: VF=3,8 V
h.Diodes reversās atkopšanas laiks: Trr=2,0 μs
Piezīme:Presējamā IGBT priekšrocība ir ilgstoša augsta mehāniskā uzticamība, augsta izturība pret bojājumiem un presēšanas savienojuma struktūras raksturlielumi, ir ērti lietojami sērijveidā, un, salīdzinot ar tradicionālo GTO tiristoru, IGBT ir sprieguma piedziņas metode. .Tāpēc tas ir viegli lietojams, drošs un plašs darbības diapazons.