Apraksts:

Kvadrātveida tiristoru mikroshēma ir sava veida tiristora mikroshēma un četru slāņu pusvadītāju struktūra ar trim PN savienojumiem, ieskaitot aizbīdni, katodu, silīcija plāksni un anodu.Katods, silīcija plāksne un anods ir plakanas un kvadrātveida formas.Viena silīcija vafeles puse ir piestiprināta ar katodu, otra puse ir piestiprināta ar anodu, uz katoda tiek atvērts svina caurums, un atverē ir sakārtoti vārti.Vārti, katoda un anoda virsma ir izklāta ar lodēšanas materiālu.Galvenie ražošanas procesi ir: silīcija plāksnīšu tīrīšana, difūzija, oksidēšana, fotolitogrāfija, korozija, pasivācijas aizsardzība, metalizācija, testēšana un griešana.

Ražošanas portfelis:

• ITAV=25A~200A,

• VRRM=1600V

Vārtu tips:

• Trīsstūra stūra vārti: ITAV=25A~60A

• Apaļie centra vārti: ITAV=110A~200A

Struktūra:

• Dubultā mesa

• Metalizētais anods ir daudzslāņu metāls TiNiAg vai Al+TiNiAg

• Metalizētais katoda slānis ir Al vai TiNiAg

Iespējas:

• Izkliedēta alumīnija difūzija, zems sprieguma kritums ieslēgtā stāvoklī, augsts bloķēšanas spriegums

• Dubultā negatīvā leņķa forma

• Pasivācijas aizsardzības materiāls: SIPOS+GLASS+LTO

• Zems IL un plašs pielietojums

• Biezs alumīnija slānis un viegla savienošana

• Lieliska sprūda konsistence